MZ-75E1T0B/CN
固态硬盘 850 EVO SATA III 2.5英寸 1 TB
V-NAND
极致读取/写入性能
增强的RAPID模式
V-NAND
什么是 3D V-NAND？它与现有技术有什么不同？ 三星独一无二的创新性 3D V-NAND 闪存架构是一项巨大突破，克服了传统平面 NAND 架构的密度、性能和耐久性局限。3D V-NAND 的架构设计通过让 32 个芯片层彼此垂直堆叠，而不是缩减芯片尺寸并尝试将自身容纳到一个固定的水平空间，因此使得密度更高，性能更好，而占用的空间更小。
出色的读取/写入性能
TurboWrite 技术带来更快的读写速度，优化日常计算性能 借助三星的 TurboWrite 技术，实现出色读写性能，最优化您的日常计算体验。相比 840 EVO*，您不仅可以获得超过 10% 的用户体验提升，而且 120/250 GB 型号** 的随机写入速度最高可以提速 1.9 倍。850 EVO 可以提供顺序读取 (540 MB/s) 和写入 (520 MB/s) 性能。此外，在客户端 PC 使用情况下，您可以获得针对全部 QD 的优化的随机性能。 *PCmark7(250GB )：6700(840 EVO) > 7600(850 EVO) **随机写入 (QD32,120GB)：36,000 IOPS(840 EVO) > 88,000 IOPS(850 EVO)
增强的RAPID模式
增强的 RAPID 模式带您进入性能快车道 通过三星Magician 软件，将未使用的 PC 内存 (DRAM) 用作高速缓存，使得在 Rapid 模式下在系统级别上的数据处理速度* 提升 2 倍，从而随时实现性能加速。配备 16 GB DRAM 时，新版的 Magician 可以将先前 840 EVO 版本在 Rapid 模式下的最大内存使用从 1 GB 增加到 850 EVO 版本中的最大 4 GB。您还可以在所有随机队列深度下获得2 倍的性能*提升。 *PCMARK7 RAW(250GB)：7500 > 15000（Rapid 模式）
增强的可靠性
3D V-NAND 技术为耐久性和可靠性带来保障支持 与上一代的 840 EVO** 相比，850 EVO 的 TBW * 翻倍，且可以提供业内领先的 5 年质保，因此可以提供耐用性和可靠性保障。对比 840 EVO，850 EVO 可以最小化性能下降，从而带来高达 30% 的稳定性能提升，业已证明是值得依赖的存储设备***。 *TBW：已写入的总字节数 **TBW：43(840 EVO) < 75(850 EVO 120/250GB)，150(850 EVO 500/1TB) ***稳定的性能 (250GB)：3300 IOPS(840 EVO) > 6500 IOPS(850 EVO)，经过 12 小时“随机写入”测试得出的性能数据
端对端集成解决方案
获得包含组件的集成式内部解决方案 三星是全球唯一所有SSD组件都是内部自主设计和生产的厂商，可以实现完全优化的集成。精工细作，结果自然令人满意。850 EVO 性能更优，采用高达 1 GB 的 LPDDR2 DRAM 高速缓存降低能耗，并采用 MEX/MGX 控制器提高能效。
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